催化:近日,九峰山实验室在其官方微信平台宣布了一项重要的技术突破。该实验室近日成功开发出了6英寸磷化铟(InP)基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺。这一成就标志着我国在大尺寸磷化铟材料制备领域实现了从核心装备到关键材料的国产化协同应用,这是国内首次在该领域取得的显著进展。
磷化铟是一种重要的半导体材料,广泛应用于光通信、激光器、探测器等高科技领域。由于其在高频、高速、低噪声等性能上的优势,磷化铟材料对于推动相关技术的发展至关重要。然而,长期以来,大尺寸磷化铟材料的制备技术一直被国外垄断,国内在这一领域的技术积累相对薄弱。
九峰山实验室的这一技术突破,不仅打破了国外在磷化铟材料制备上的技术壁垒,也为我国在光电子领域的自主发展提供了坚实的基础。特别值得一提的是,实验室本次技术突破中使用的6英寸磷化铟(InP)衬底,是由云南鑫耀公司提供的。云南鑫耀在磷化铟单晶片产业化关键技术上已实现突破,这意味着高品质的磷化铟单晶片即将实现量产,这对于降低成本、提高供应稳定性具有重要意义。
随着这一技术的成熟和应用,预计将进一步推动我国在光电子领域的技术创新和产业升级,为相关企业提供更多的发展机遇,同时也为我国的科技进步和经济发展注入新的动力。这一成就不仅是九峰山实验室的骄傲,也是我国科技界的一次重要里程碑。
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