士兰微，天降横财！

功率半导体玩家士兰微，再次涨价！

就在6月29日，士兰微对外发布价格调整通知函，将自7月起对各产品线至少涨价15%。

这不是公司近期第一次提价。

早在今年2月，士兰微就曾宣布，将对旗下小信号二极管/三极管芯片、沟槽TMBS芯片、MOS类芯片三款产品价格分别上调10%。

这两次涨价的不同清晰可见。第一，涨价范围从个别产品扩充到全品类；第二，涨价幅度从10%提升到15%；第三，涨价原因从单纯地强调原材料成本上涨调整为“原材料+供需结构”双轮驱动。

那么，这场来势更凶猛的涨价潮究竟缘何而起？在众人狂欢的产业盛宴中，士兰微的优势到底是会被放大，还是缩小？

践行IDM模式，保障供给

士兰微的业务大致分为集成电路、分立器件和发光二极管三类，2025年营收占比分别为37.74%、48.88%和5.86%。

在2025年全球功率半导体分立器件榜单中，士兰微以第五的成绩强势入围，是前五玩家中唯一的国产企业。在当年，士兰微还成功打败富士电机，强势上升一个位次。

在电子设备中，如果把逻辑芯片看做“大脑”，把存储芯片看做“记忆”，那功率半导体就类似于“心脏”和“肌肉”，负责管理和转换电能。

据统计，全球有超75%的电能都要经过功率半导体转换后，才能应用到各类电子设备中。

常言道，算力的尽头是电力。这样一来就不难看出，推动功率半导体需求增长的正是那个发展的如火如荼的AI。

再加上，近年包括英飞凌、意法半导体、安森美等海外龙头均连续两年大幅缩减资本来支，供需错配下，功率半导体跟随存储芯片的涨价步伐就不足为其了。

既然提到行业产能不足，那对士兰微的好处就不仅仅是涨价那么简单了。

纵观国内大部分芯片的流转路径，一般由芯片设计玩家负责设计，然后交由中芯国际、台积电等代工厂负责加工制造，接着由长电科技、通富微电等封测厂负责封装测试，最后再返还给芯片设计公司负责对外销售。

可以说，芯片设计公司链接着代工厂、终端客户两端，最终的产品涨价结果由它提出。但真实的产能限制，却掌握在代工厂、封测厂那。

刚好这块资产，士兰微自己就有。

早在2001年，士兰微就建设了第一条5英寸芯片产线，正式开启IDM模式的探索，也就是把芯片的设计、制造、封装等全产业链环节都牢牢掌控在自己手中。

截至目前，全国首条12英寸功率器件产线的建设，也是出自士兰微之手，公司已形成从5英寸到12英寸晶圆的全方位跨越。

这样一来，在功率半导体领域，相对于新洁能这种Fabless玩家、芯导科技这类Fab-lite转型玩家，士兰微的加工制造、封测经验就显得尤为丰富，同时还不用担心产能掣肘。

毕竟截止到2025年底，士兰微的IPM产能已达到4000万只/月，也已具备月产10000片6寸SiC-MOSFET芯片的生产能力，完全够得上第一梯队。与此同时，公司的8英寸碳化硅产线正处在爬坡期，产能的释放拐点还正好赶上了价格拐点。

SiC先驱，产能通线

上文提到的士兰微的8英寸产线为公司2024年规划，核心产品为SiC，总投资合计120亿元，分两期建设，全部达产后产能将达到72万片/年。

经过近两年筹备，2026年1月，该项目终于正式通线。据公司表示，其中一期项目将在2026年-2028年期间内逐步实现产能爬坡，达产后产能为42片/年。

不得不说，该项目的通线时间恰逢其时，正好能成为士兰微产能的有效补充。

在此前的逻辑里，相比于IGBT等传统硅基器件，碳化硅要更耐高温、耐高压，且损耗更低，是电动车从400V向800V高压平台升级的核心材料。

据悉在800V高压系统中，碳化硅MOSFET相较于硅基IGBT，总能量损耗能降低高达70%。

但此时AI的爆发，让它不仅局限在传统的新能源车场景，如今在AI数据中心也能发挥用武之地。毕竟，技能本身是不打折扣的。

如今，数据中心的单机功率密度早已不能和互联网时代同日而语，从3-5kW到20-50kW说是指数级提升也不为过。甚至，英伟达的下一代架构的机柜功率密度还很可能突破1MW，这随之必然会带来供电架构的革命。

正如，业内技术已经呈现从传统UPS到高压直流HVDC再到巴拿马电源+SST固态变压器升级的路径。

此时，传统硅基器件的承载能力就开始遭遇瓶颈，SiC功率器件几乎成了“必然解”。

而士兰微在SiC产品上的储备，正是它能在这场AI竞赛中突围的筹码。

截至目前，士兰微的SiC-MOSFET已迭代至第四代，规模出货的第二代芯片所配套的电动汽车主驱模块累计出货超过10万颗，技术和量产进展都远超同行。

除了在8英寸产线上率先通线外，士兰微的6英寸产能也“碾压”对手。截至2025年末，士兰微的6寸SiC-MOSFET芯片月产能为10000片，几乎是华润微的2.5倍，更是领先首条产线刚刚量产爬坡的扬杰科技。

除此之外，士兰微面向AI 服务器电源还有其他产品储备，目前已形成DrMOS、eFuse 与控制器等电源管理芯片组合，其中部分已量产，其余预计将在2026年量产。

不过有一说一，公司在产能上的“激进”，也产生了一些列化学反应。

加码200亿扩产，盈利能力低

有着功率半导体分立器件国产第一的市场地位、领先的SiC布局，怎么看士兰微的盈利能力都差不到哪去。

但事实，恰恰相反。

2021年-2026年第一季度，士兰微的毛利率从33.19%下滑到19.79%，不仅一路走低，横向对比也远远比不过华润微、扬杰科技、斯达半导等竞争对手。

个中缘由，离不开公司的扩产策略。

2024年以来，当华润微等同行还是缩减资本开支时，士兰微仍选择逆势扩产。除了前文提到总投资120亿元的SiC项目外，公司还正推进投资200亿元建设12英寸高端模拟芯片产线，达产后年产能为54万片。

值得玩味的是，此次高端模拟芯片项目采取的是“先参股，后收购”的模式。

通俗来讲，就是士兰微先让渡子公司一部分股权，与外部投资者来共同投资扩产。与此同时，士兰微还与合作方签署一项股权收购协议，表明在未来数年内将重新收购回原子公司部分股权，以此重新获得控制权。（来源：中国经营报）

那么，士兰微为何要走这么繁琐的路线？

核心是因为，缺钱。

前期的扩产让士兰微的现金流算不上充裕。截至2026年一季度末，公司账上货币资金57.18亿元，远不足以覆盖长短期负债（合计超80亿元），同期公司资产负债率超过50%，更是远高于华润微17.87%、新洁能11.64%、斯达半导33.28%的数值。

再加上，公司的大量产能还仍处在爬坡期，每年的天价折旧费成了公司的盈利“刺客”。

甚至连锁反应下，公司的利息费用继续吞噬利润。

2024年和2025年这两年，士兰微的利息费用均超2亿元，已然超过当期净利润，致使财务费用进一步挤压盈利空间。而同期，华润微、扬杰科技反而是把财务费用做成了增厚利润的“功臣”，一增一减之间高下立见。

这样一来，尽管2024年以来公司业绩有所回暖，但净利率始终在5%以下，在业内有些拿不出手。

而可以预想的是，未来公司对子公司股权的回购，又会将是一笔不得不重视的支出。至于公司未来的破局点，或许就藏在此次AI的发展机遇中。

结语

涨价的风吹到了功率半导体，包括士兰微在内的不少业内玩家正开启一轮涨价潮。

但综合来看，此次涨价的威力，或许在士兰微身上才更能发挥地淋漓尽致。IDM的践行，让士兰微的产品交付更加从容，同时公司产能的适时通线也正好补充供给。再加上，SiC的深度布局、资金上的“捉襟见肘”，看起来也更能让士兰微享受AI爆发这场甘霖。

以上分析仅代表个人观点，不构成任何具体的投资建议，投资者需结合市场变化及自身风险承受能力独自决策。股市有风险，入市需谨慎。