今日上午,光刻机板块集体走高,截止发稿,同飞股份、波长光电20cm涨停,张江高科、海立股份、京华激光涨停,茂莱光学、苏大维格、富乐德、联合光电等纷纷大涨。
消息面上,工信部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》。其中在电子专用装备目录下,集成电路生产装备包括氟化氩GKJ,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。
国产DUV光刻机迎突破,量产28nm意义重大
近日,工业和信息化部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》通知。据“工信微报”介绍,重大技术装备是国之重器,事关综合国力和国家安全。
值得注意的是,在重大技术装备文件列表中包含了国产氟化氪光刻机(110nm),和氟化氩(ArF)光刻机(65nm)的内容。
氟化氪(KrF)和氟化氩(ArF)两种气体均服务于深紫外(DUV)光刻机,产生深紫外光的准分子激光器。并且氟化氩光刻机和氟化氪光刻机两者均属于DUV光刻机。
目前来说,光刻机共经历了五代的发展,从最早的 436nm 波长,再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line,第三代则是 248nm 的 KrF 激光,第四代就是 193nm 波长的 ArF 光刻机,属于干式DUV光刻机。
根据信息,其中ArF(氟化氩)光刻机,光源为193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。
套刻精度通常被指为“多重曝光能达到的最高精度”,按套刻精度与量产工艺1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片,大致相当于20年前ASML的1460K。
28nm虽然不是特别先进技术,但意义依然重大,因为这是芯片中低端和中高端的分界线,目前除了最先进的CPU、GPU、AI芯片外,其余的工业级芯片大多都是28nm以上技术。
这也意味着中国工业实现独立,国内的空调洗衣机汽车等各类工业品,可以突破西方国家设置的重重封锁,自主生产销售。
国产光刻机技术持续突破
在此之前,国产光刻机相关公开信息较少,保密程度高,但今年以来,国内光刻设备及曝光工艺公开信息逐渐增多。
3月22日,华为公开四重曝光工艺技术改进优化的专利;
6月20日,工信部发布《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》公示稿(后于9月9日正式发布);
9月10日,上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的专利。
驱动光刻机信息公布的因素或有两个,一是美国大幅提高对中国的芯片关税,二是荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)进一步收紧先进DUV的出口。
申万宏源证券认为,官方披露核心设备进展提振市场信心,国产光刻机相关产业链受益,国内晶圆厂扩产自主可控可期,国产半导体设备整体受益。
民生证券表示,海外半导体设备供给持续高增满足短期扩产需求,国产光刻机技术亦在持续突破,利好半导体设备自主可控的长期发展,继续看好国内晶圆厂的投资增长和国产半导体设备的国产化机遇。
相关概念股一览:
波长光电(300847):公司光刻机平行光源系统可用于国产光刻机领域配套,并已交付多套系统。
苏大维格(300331):向微电子提供光刻机用的定位光栅产品。
福晶科技(002222):全球最大的LBO、BBO非线性光学晶体生产商。
炬光科技(688167):提供光刻机曝光系统核心元器件光场匀化器。
京华激光(603607):控股的美国菲涅尔制版科技在光刻机微结构光学方面实力较强。
赛微电子(300456):子公司Silex为全球光刻龙头公司提供微镜系统。
茂莱光学(688738):公司在光刻机领域提供用于匀光、中继照明模块的光学器件、投影物镜,以及用于工件台位移测量系统的棱镜组件。
腾景科技(688195):公司合分束器应用于光刻机光学系统,多波段合分束器已进入微电子供应链。