兆易创新，将重回千亿市值

当前，全球半导体行业正逐步走出下行周期阴霾，迎来复苏。

2024年，集成电路行业在历经两年调整后呈现复苏态势，根据研究与咨询公司Gartner发布的初步统计结果，2024年全球半导体行业收入达到6,260亿美元，较2023年大幅增长18.1%，创下历史新高，且预计2025年市场规模将进一步扩大至7,050亿美元

在行业增长结构上，呈现出明显的“结构性分化”特征：

一方面，数据中心、AI芯片、主流存储市场迎来爆发式增长；

另一方面，消费电子需求相对疲软。

存储芯片与MCU作为半导体核心赛道，也在这一轮复苏中悄然升温，为兆易创新的业绩回暖提供了土壤。

2024年兆易创新实现营收73.56亿元，同比增长27.69%；归母净利润11.03亿元，同比暴增584.21%；扣非净利润更是飙升3660.79%至10.30亿元。

那么，公司为何增长？后续还能持续增长吗？

一、存储量价齐升、MCU销量大增

作为国内芯片的龙头企业，兆易创新的主要业务分为3类：1.存储芯片（占比70.6%）；2.MCU及模拟产品（占比23.2%）；3.传感器。其中，存储、MCU占比较高，是公司的核心业务。

分业务来看，存储芯片、MCU是拉动业绩增长的重要动力。接下来，我们对存储芯片、MCU分别进行讨论：

1.存储芯片

公司的核心产品线涵盖NOR Flash、SLC NAND、DRAM存储芯片，呈现出营收与毛利率双升的态势。

公司的存储芯片业务收入51.94亿元，同比增长27.39%，毛利率提升7.28个百分点至40.27%。

其增长原因在于，行业周期反转、产品技术迭代拉动市占率。

全球半导体市场在2024年迎来复苏，NOR Flash价格从2023年的低谷回升，叠加AIPC、服务器等领域需求增长，推动公司存储产品量价齐升。

在销量方面，公司的存储芯片实现销量为35.53亿颗，同比增长33.82%。从NOR Flash、SLC NAND、DRAM3大品类来看：

在NOR Flash领域，2024年市占率至全球第二，产品涵盖512Kb至2Gb多种容量，满足不同应用场景需求。

在DRAM产品，公司积极切入DRAM存储器利基市场（消费、工控等），并已推出DDR4、DDR3L等系列产品，在消费电子（包括机顶盒、电视、智能家居等）、工业、网络通信等领域取得较好的营收，并持续推进规划中的其他自研产品。

而兆易创新的NAND Flash产品主要集中在小容量SPI NAND Flash领域，可广泛应用于手机、机顶盒、数据卡、网通产品、通讯设备等消费类产品。

随着公司车规级SLC NAND Flash的量产，将进一步拓展应用至汽车市场，为公司NAND Flash业务带来新的增长点。

2.MCU芯片

公司的MCU业务收入17.06亿元，同比增长29.56%，但毛利率下降6.60个百分点至36.50%。

公司是中国排名第一的32位Arm通用型MCU供应商。根据Omdia统计，2024年上半年公司MCU营收排名全球第十位。

在销量方面，公司的MCU及模拟产品的销量为5.4亿颗，同比增长87.84%。

由于市场竞争加剧，国内MCU厂商数量激增，价格战导致中低端产品毛利率收窄。另外，公司的消费电子类MCU占比下降，工业及汽车类高毛利产品占比提升，短期拖累整体毛利率。

此外，公司的车规级产品投入加大，公司推出GD32A7系列车规MCU，布局车身域控、电池管理等高端市场，但前期研发投入较高且量产规模尚未完全释放，这也是未来增长的动力。

整体来看，存储量价齐升、MCU销量增长是推动公司的业绩回暖的重要动力。

二、业绩继续增长

那么，公司的业绩会继续增长吗？

这取决于存储芯片是否带动公司的业绩继续增长的最重要的因素。

通过供需关系，我们可以发现2025年存储芯片还将继续向上。

在供给方面，三星、美光等巨头通过减产传统DRAM/NAND产能（如DDR4减产20%以上），将资源转向HBM和先进制程产品。美光新加坡工厂停电事件进一步加剧供应紧张，预计2025年全球DRAM/NAND产能增速降至5%以下。

在需求方面，存储芯片还得看AI、消费电子、汽车电子。

每台AI服务器的DRAM需求是普通服务器的8倍，HBM需求激增。SK海力士HBM产能已售罄至2026年一季度，2025年HBM出货量预计增长70%。

不过，美国对华半导体出口管制可能影响HBM等高端产品供应链，华为等企业需依赖国产替代。而国产芯片有国产替代的机会，不过还需观察。

智能手机和PC需求疲软，1000-3000元价位段机型仍采用LPDDR4X，对DRAM拉动有限。但AIPC渗透率提升（预计2025年达43%）和SSD大容量化（30TB/60TB产品）可能带来结构性机会。

另外，车规级DRAM和NAND需求增长25%，比亚迪、特斯拉等车企加速采用国产存储芯片。兆易创新车规存储产品进入比亚迪供应链，2025年Q1出货量同比增长。

2025年存储芯片行业将呈现“高端领跑、中低端承压”的分化格局。HBM、DDR5、车规存储等细分领域受益于AI和汽车电子需求，有望实现20%-30%的增长；而消费级DRAM/NAND受库存调整和价格战影响，增速可能低于10%。

整体来看，需求增加、供给减少向高端产品靠拢，存储芯片还将向上。

另外，有机构预计2025年第二季度存储芯片合约价增幅将高于此前预期。比如：TrendForce集邦咨询预计25Q2Blended NAND Flash价格将环比增长3~8%(此前3月预期涨幅0~5%)。

除了受益于存储芯片继续向好，兆易创新还将受益于国产替代。

随着AI技术在手机端的逐步应用，预计未来将与知名旗舰手机同步推出。在外部HBM管制的背景下，HBM的需求也有可能部分转移到定制化的存储解决方案上。

公司在存储器堆叠技术方面拥有显著的竞争优势。在国内，仅有DRAM行业的领导者CX公司具备相关的工艺技术和产能。兆易创新与CX公司建立了深度合作关系，获得了稳定的产能支持和先进的工艺技术，这使得兆易创新的产品在市场上具有极高的稀缺性。

总之，存储芯片向好，兆易创新引领利基DRAM国产替代及高端创新，将重回千亿市值俱乐部。

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