一. 存储器概览
半导体存储器是用来存储和读取数据的记忆部件,按断电后数据是否保存,分为易失性存储(RAM)、非易失性存储(ROM)两大类。
1.1 易失性存储(RAM)
特点:依赖持续供电,断电数据丢失,核心优势是读写速度快,适配临时数据存储与高速计算支持。
(1)SRAM(静态随机存储器):无需周期性刷新、密度低、读写速度极快,主要用于CPU高速缓存。
(2)DRAM (动态随机存储器):需周期性刷新、密度高、速度中等,主要用于PC/服务器/手机主内存。
1.2 非易失性存储(ROM)
特点:断电后数据保留,读写速度较慢,适配长期数据存储场景
(1)NAND Flash(NAND闪存):存储密度高,主要用于固态硬盘、嵌入式等大容量存储。
(2)NOR Flash(NOR闪存):随机读取速度快,适合代码执行,常用于存储代码。
二. 存储两大细分
DRAM、NAND Flash是存储领域主要产品,市场合计占比97%。
2.1 DRAM分类
(1)标准DDR:高带宽、中等功耗;作为计算机主存,用于PC、服务器;
(2)移动DDR(LPDDR):低功耗、小尺寸;用于手机、平板。
(3)图形DDR(GDDR/HBM):极高带宽、高功耗;GDDR用于显卡显存,HBM(高带宽内存)用于AI训练/推理。
2.2 NAND Flash分类
(1)固态硬盘(SSD):容量大,读写速度快,主要用于PC、服务器。
(2)嵌入式存储:体积小、功耗低,主要用于汽车电子、物联网设备。
(3)移动存储:便携可插拔,主要用于U盘、移动硬盘、 SD卡。
三. 产业各环节梳理
3.1 芯片设计
(1)内存(DRAM):兆易创新、北京君正、澜起科技。
(2)闪存(NAND/NOR Flash):东芯股份、恒烁股份、普冉股份、聚辰股份。
3.2 晶圆制造
(1)IDM(设计/制造/封测一体化):三星、SK海力士、美光。
(2)代工:台积电、长xin存储、长jiang存储、中芯国际、福建晋华。
3.3 封装测试
(1)海外:日月光、安靠、力成科技、京元电子。
(2)国内:长电科技、通富微电、华天科技、深科技。
3.4 模组产品
模组是将存储器与其他组件集成并形成最终产品,如固态硬盘、嵌入式存储、移动存储等品类。
(1)海外:三星、铠侠、SK海力士、西部数据、金士顿。
(2)国内:江波龙、佰维存储、香农芯创、德明利、协创数据。