光通信半导体材料：磷化铟（InP）产业及个股梳理

前言：近日，九峰山实验室成功突破6英寸磷化铟基PIN结构的外延生长工艺，性能指标达到国际领先水平。

一. 半导体材料

半导体材料是导电性能介于导体和绝缘体之间的电子材料，为现代电子工业的核心，广泛用于集成电路、光电器件等领域。

2.1 按代际划分

（1）第一代：硅、锗；硅性能均衡、工艺成熟、成本低、适合大规模量产，用于分立器件、集成电路（逻辑/模拟/存储芯片）。

（2）第二代：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）；光电性能卓越，用于射频器件（砷化镓）、光通信器件（磷化铟）。

（3）第三代：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）；耐高温/高压/高功率，用于逆变器/充电桩（碳化硅）、电源（氮化镓）。

二. 磷化铟概览

磷化铟（InP）是由铟（In）和磷（P）组成的化合物半导体，禁带宽度（直接带隙）适合光通信器件，高电子迁移率适合高频器件。

应用领域：光通信（光模块激光器）、射频器件（激光雷达/毫米波雷达/卫星通信前端）、光学传感器。

2.1 制备流程

磷化铟为原材料，需经过一系列工序制备成磷化铟衬底，才能用来做做芯片（如晶圆制备：石英砂→工业硅→硅料→硅片）。

（1）多晶合成：高纯铟和磷在高压炉中反应生成InP多晶锭。

（2）单晶生长：采用VB法/VGF法/LEC法，生成2-6英寸衬底。

（3）外延片加工：通过金属有机化学气相沉积（MOCVD），在衬底上生长InGaAsP等合金。

（4）晶圆加工：切割→研磨→抛光→超净包装。

三. 供应格局

全球磷化铟衬底市场被日本住友、美国AXT等少数厂商垄断，国内北京通美、云南鑫耀突破6英寸技术，加速替代进口。

云南锗业：国内最大磷化铟衬底供应商，产能15万片/年；持有云南鑫耀56.3%股份，携手九峰山实验室完成6英寸衬底技术突破。

三安光电：主营化合物半导体材料与器件，包括氮化镓/砷化镓/碳化硅/磷化铟外延片、芯片。

兆驰股份：主营多媒体视听产品及LED，子公司江西兆驰半导体投建砷化镓/磷化铟半导体激光晶圆产线。

跃岭股份：主营铝合金车轮，参股中石光芯（持股10.89%），其专注磷化铟基光通信芯片的研发与生产。