功率半导体：MOSFET/IGBT供应格局梳理

一. 功率半导体

功率半导体是用于电能转换、控制和保护的半导体器件，用于高电压、大电流场景，是电力电子系统的核心。

1.1 作用

（1）电能转换：AC-DC（交流转直流）、DC-DC（直流转直流）、DC-AC（直流转交流）、AC-AC（交流转交流）。

（2）电能控制：通过控制器件的导通/关断状态，实现对电压、电流、频率的精准调控。

（3）电路保护：电路出现异常（如过流/过压/短路）时，可快速关断，防止设备损坏。

1.2 分类

（1）一代：二极管（低压领域）、晶闸管（高压领域）；由简单的PN结组成，开关速度慢。

（2）二代：MOSFET（中低压领域）、IGBT（高压领域），为目前主要品种，市场占比40%、25%。

二. MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）

（1）特点：采用栅极-氧化层-沟道结构，开关速度极快、高压下通态损耗大，适用于中低压场景。

（2）应用：消费电子（手机快充、笔记本电源）、汽车（BMS电池管理、DC-DC转换器、车灯驱动）、工业（电机驱动、UPS）。

（3）海外头部：英飞凌、安森美、东芝、意法半导体。

（4）国内头部：华润微、闻泰科技、东微半导。

三. IGBT（绝缘栅双极型晶体管）

（1）特点：MOSFET栅极+BJT（双极型晶体管）结构，开关速度中等、高压下通态损耗低、适用于高压大电流场景。

（2）分类：

中压IGBT（600V-1200V）：用于新能源汽车（电控系统）、新能源（光伏逆变器、风电变流器）、工业（变频器、伺服驱动器）。

超高压IGBT（1700V以上）：用于轨交（高铁/地铁牵引变流器）、电网（电网无功补偿装置SVG）。

（3）海外头部：英飞凌、三菱电机、富士电机。

（4）国内头部：斯达半导、士兰微、扬杰科技、捷捷微电。