台系供Y链消息显示,英伟D已正式向台积电、日月光投控发出技术评估书,要求2027年量产的下下代GPU(内部代号Rubin Ultra)导入12英寸碳化硅中介层,取代现行CoWoS-L的硅中介层。评估报告指出,碳化硅热膨胀系数(4.0×10⁻⁶ K⁻¹)与铜重布线层(RDL)几乎一致,可将封装翘曲控制在40 µm以内,比硅方案降低约四成;同时热导率提升至120 W·m⁻¹·K⁻¹,散热密度增加15%,使单卡功耗上限从1 kW推升至1.4 kW,满足AI训练卡对更高TDP的刚性需求。
台积电已启动“碳化硅中介层”专项,整合台、日、欧三方材料厂,于2024年完成6/8英寸碳化硅TGV(玻璃通孔)工艺验证,孔径<10 µm,深宽比达10:1,绝缘层无微裂。12英寸碳化硅晶圆预计2025年第四季送样,重点考核高温回流(260℃)后的层间剪切强度及抗电迁移寿命,目标≥1000小时。若可靠性达标,2026年第二季导入竹南二厂先导产线,月产能5000片,2027年下半年随Rubin Ultra正式放量,规划月产能3万片,对应约60万颗GPU封装需求。
成本方面,12英寸碳化硅中介层报价为同尺寸硅片的2.8倍,但因翘曲减少,CoWoS良率可由92%提升至97%,抵消材料溢价,综合成本仅增6%,在英W达可接受范围。
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