一. 驱动逻辑
近日,北京大学团队通过冷冻电子断层扫描技术(cryo-ET),解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为。
这不仅是单一的工艺改进,而是一项颠覆性的方法创新:
(1)传统的光刻胶工艺优化,依赖工程师经验及大量试错实验;
(2)cryo-ET则直接提供机理证据,从而可以精准地调整参数,有利于高性能光刻胶的设计与验证,并缩短迭代周期。

二. 光刻胶概览
光刻胶是一种光敏聚合物,在光刻工艺中作为图形转移介质,通过曝光、显影工艺,将掩模版上的电路图形转移至晶圆表面。
步骤:涂覆(光刻胶涂覆在晶圆表面)→曝光(曝光或未曝光区域溶解)→显影(去除溶解部分,形成图形)→刻蚀(形成电路结构)。
2.1 按显示效果分类
(1)正性胶:显影时曝光区域溶解,形成的图形与掩膜版相同。
(2)负性胶:显影时未曝光区域溶解,形成的图形与掩膜版相反。
2.2 按曝光波长分类
(1)紫外(UV):G线(436nm)/I线(365nm),用于成熟制程。
(2)深紫外(DUV):KrF(248nm)用于成熟制程、ArF(193nm)用于先进制程。
(3)极紫外(EUV):EUV(13.5nm)用于5nm以下先进制程。
2.3 按应用领域
分为PCB、LCD、半导体光刻胶,技术门槛逐渐递增。
三. 光刻胶原材料
3.1 光引发剂(光敏剂)
(1)作用:光刻胶中的光敏成分,吸收光能并引发聚合固化反应,决定了光刻胶感光度、分辨率等关键指标。
(2)主要品种:自由基型(用于G/I线胶)、阳离子型(用于DUV/EUV胶)。
(3)海外头部:住友化学、IGM Resins、巴斯夫。
(4)国内头部:久日新材、强力新材、扬帆新材、固润科技。
3.2 树脂
(1)作用:构成胶体骨架,决定其机械强度、附着力与耐刻蚀性。
(2)主要品种:酚醛树脂(G/I线)、聚对羟基苯乙烯(KrF)、甲基丙烯酸酯类(ArF) 。
(3)海外头部:住友化学、东洋合成、三菱化学。
(4)国内头部:圣泉集团、八亿时空、宁波微芯。
3.3 溶剂
(1)作用:溶解树脂和光引发剂,调节粘度,实现光刻胶的均匀涂覆。
(2)主要品种:丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA/PMA)。
(3)海外头部:ADEKA、陶氏化学。
(4)国内头部:江苏怡达、百川股份。
3.4 添加剂
(1)作用:优化光刻胶性能。
(2)主要品种:品类繁多,如增塑剂、表面活性剂、稳定剂等。
四. 半导体光刻胶格局
全球半导体光刻胶市场被美日厂商垄断,主要包括:东京应化、JSR、富士胶片、信越化学、住友化学、杜邦。
国内仅有少数几家实现半导体光刻胶量产:彤程新材、南大光电、晶瑞电材、上海新阳、华懋科技。
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